24일 미국 증권거래위원회에 따르면 2026년 2월 24일, 나비타스 세미컨덕터는 2025년 12월 31일 종료된 분기 및 연간의 감사되지 않은 통합 재무 결과를 발표했다.이 보도자료는 본 보고서의 부록 99.1로 제공되며, 여기서 참조된다.
나비타스 세미컨덕터는 차세대 GaNFast™ 갈륨 나이트라이드(GaN) 및 GeneSiC™ 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체의 산업 리더로, 2025년 4분기 및 연간 재무 결과를 발표했다.
2025년 4분기 총 수익은 730만 달러로, 2025년 3분기의 1,010만 달러 및 2024년 4분기의 1,800만 달러와 비교된다.
운영 손실은 GAAP 기준으로 4,140만 달러로, 2025년 3분기의 1,940만 달러 손실 및 2024년 4분기의 3,900만 달러 손실과 비교된다.
비GAAP 기준으로는 1,210만 달러의 운영 손실을 기록했으며, 이는 2025년 3분기의 1,150만 달러 손실 및 2024년 4분기의 1,270만 달러 손실과 비교된다.
2025년 4분기 GAAP 결과에는 1,660만 달러의 구조조정 및 손상 비용이 포함되어 있으며, 이 중 380만 달러는 비현금 항목이다.
2025년 12월 31일 기준으로 현금 및 현금성 자산은 2억 3,690만 달러로, 2025년 9월 30일의 1억 5,060만 달러와 비교된다.
2025년 11월에는 일반 주식의 성공적인 사모 배치를 완료하여 9,560만 달러의 순수익을 창출했다.
나비타스는 AI 데이터 센터, 에너지 및 그리드 인프라, 성능 컴퓨팅 및 산업 전기화와 같은 고성장, 고전력 시장을 목표로 하는 GaN 및 고전압 SiC 솔루션에 집중하는 전략적 전환을 가속화하고 있다.2030년까지 35억 달러의 서비스 가능한 시장(SAM)을 목표로 하고 있다.
고전력 시장은 회사 역사상 처음으로 분기 수익의 대부분을 차지했으며, 모바일 시장은 25% 미만으로 감소했다.
나비타스는 2026년 1분기부터 고전력 시장에 의해 주 수익 성장으로 돌아올 것으로 예상하고 있다.
또한, 나비타스는 GlobalFoundries와의 장기 전략적 파트너십을 통해 미국 내 GaN 제조를 가속화하고 있으며, AI 데이터 센터 애플리케이션을 위한 새로운 650V GaN 샘플링을 시작했다.
2026년 1분기 순수익은 800만 달러에서 850만 달러 사이로 증가할 것으로 예상되며, 비GAAP 총 마진은 38.7%로 예상된다.
나비타스의 현재 재무 상태는 총 자산 5억 469만 달러, 총 부채 5,680만 달러, 주주 자본 4억 4,366만 달러로 나타났다.
※ 본 컨텐츠는 AI API를 이용하여 요약한 내용으로 수치나 문맥상 요약이 컨텐츠 원문과 다를 수 있습니다. 해당 컨텐츠는 투자 참고용이며 투자를 할때는 컨텐츠 원문을 필히 필독하시기 바랍니다. 원문URL(https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/1821769/000182176926000003/0001821769-26-000003-index.htm)
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