20일 미국 증권거래위원회에 따르면 2025년 11월 20일, 나비타스세미컨덕터와 글로벌파운드리(GF)는 미국 내 갈륨 나이트라이드(GaN) 기술, 설계 및 제조를 강화하고 가속화하기 위한 장기 전략적 파트너십을 체결했다.
이 파트너십을 통해 두 회사는 AI 데이터 센터, 성능 컴퓨팅, 에너지 및 그리드 인프라, 산업 전기화 등 높은 효율성과 전력 밀도를 요구하는 고전력 응용 프로그램을 위한 고급 GaN 솔루션을 개발하고 제공하기 위해 협력할 예정이다.
나비타스세미컨덕터는 GaN 및 고전압 실리콘 카바이드(SiC) 기술의 선구자로서 모바일 고속 충전기, 소비자 전자기기, 성능 컴퓨팅, 전기차, 에너지 저장 및 산업 장치와 같은 대량 시장에서 성공적인 GaN 배치를 이뤄냈으며, 고전력 시장에서 GaN 채택을 가속화하기 위해 노력하고 있다.
GF는 신뢰할 수 있는 글로벌 파운드리 파트너로서 수십 년의 경험을 보유하고 있으며, 대규모로 신뢰할 수 있고 고품질의 생산을 보장한다.
이 장기 파트너십을 통해 GF와 나비타스세미컨덕터는 GF의 버몬트주 벌링턴 시설에서 차세대 GaN 기술을 제조할 예정이며, 이 시설의 고전압 GaN-온-실리콘 기술 전문성과 나비타스세미컨덕터의 오랜 GaN 기술 및 장치 전문성을 활용할 것이다.개발은 2026년 초에 시작될 예정이며, 생산은 그 해 후반에 시작될 것으로 예상된다.
GF의 세계적 수준의 제조 능력과 나비타스의 GaN 혁신 리더십을 결합함으로써 이 전략적 파트너십은 고객에게 가장 진보되고 안전하며 확장 가능한 GaN 솔루션을 제공할 것이다.
두 회사는 고객이 GaN을 위한 미국 경로를 달성할 수 있도록 지원하며, 국가 안보와 경쟁력을 강화하고 차세대 에너지 및 컴퓨팅 플랫폼의 탈탄소화를 추진할 것이다.
글로벌파운드리의 CEO인 팀 브린은 "GaN은 세계가 전력을 이동하는 방식을 변화시키고 있다. 이 파트너십은 미국 반도체 리더십과 필수 응용 프로그램을 해결하기 위한 GaN 기술 배치에 있어 중요한 진전을 나타낸다"고 말했다.
나비타스세미컨덕터의 CEO인 크리스 알렉산드르는 "GaN 채택이 AI 데이터 센터, 성능 컴퓨팅, 에너지 및 그리드 인프라, 산업 전기화와 같은 고전력 반도체 시장에서 가속화되고 있으며, GF와의 협력과 파트너십을 통해 나비타스는 고객이 요구하는 성능, 효율성 및 규모를 제공하고, 미국 내에서 중요한 국가 안보 응용 프로그램을 위한 솔루션을 제조할 수 있다"고 밝혔다.
또한, 나비타스세미컨덕터는 30년 이상의 폭넓은 기술 전문성을 바탕으로 GaNFast™ 전력 IC를 통해 GaN 전력, 구동, 제어, 감지 및 보호를 통합하여 더 빠른 전력 전달, 높은 시스템 밀도 및 더 큰 효율성을 제공하고 있다.
나비타스세미컨덕터는 300건 이상의 특허를 보유하고 있으며, 세계 최초로 CarbonNeutral® 인증을 받은 반도체 회사이다.
※ 본 컨텐츠는 AI API를 이용하여 요약한 내용으로 수치나 문맥상 요약이 컨텐츠 원문과 다를 수 있습니다. 해당 컨텐츠는 투자 참고용이며 투자를 할때는 컨텐츠 원문을 필히 필독하시기 바랍니다. 원문URL(https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/1821769/000182176925000217/0001821769-25-000217-index.htm)
데이터투자 공시팀 pr@datatooza.com
