전분기 대비 매출 22% 성장…AI 인프라 수요 힘입어 3분기 28% 추가 성장 전망
나비타스의 2분기 총 매출은 1050만 달러로, 전분기인 2026년 1분기의 860만 달러 대비 22% 증가했다. 다만 전년 동기인 2025년 2분기의 1450만 달러와 비교하면 감소한 수치다. 일반기업회계기준(GAAP) 매출총이익률은 0.4%를 기록해 전분기(-9.3%)와 전년 동기(-11.8%) 대비 개선됐다. 이번 GAAP 매출총이익률에는 무형자산 상각 관련 비용 약 400만 달러가 포함됐다. 비일반기업회계기준(Non-GAAP) 매출총이익률은 39.5%로 전분기(39.0%) 및 전년 동기(38.5%) 대비 모두 상승했다.
수익성 측면에서는 적자가 지속됐다. 2분기 GAAP 영업손실은 2720만 달러로 전분기(2780만 달러 손실) 대비 소폭 줄었으나 전년 동기(2170만 달러 손실)보다는 늘었다. GAAP 순손실은 2억 2820만 달러를 기록했는데, 이는 어닝아웃(earnout) 부채의 최종 재측정에 따른 2억 310만 달러의 비현금성 비용이 반영된 영향이다. 전분기 GAAP 순손실은 3380만 달러, 전년 동기 GAAP 순손실은 4910만 달러였다. 일회성 비용 등을 제외한 Non-GAAP 기준 영업손실은 1140만 달러, Non-GAAP 순손실은 930만 달러로 집계됐다. 2분기 말 기준 현금 및 현금성 자산은 5억 5740만 달러로, 2025년 12월 31일 기준 2억 3690만 달러 대비 크게 증가했다.
나비타스는 인공지능(AI) 데이터 센터와 그리드 및 에너지 인프라를 포함한 AI 인프라 시장이 성장을 견인하고 있다고 설명했다. 회사 측은 이 분야의 매출이 올해 말까지 전체 매출의 3분의 1 이상을 차지할 것으로 내다봤다. 크리스 알렉상드르(Chris Allexandre) 나비타스 사장 겸 최고경영자(CEO)는 "AI의 빠른 도입으로 AI 데이터 센터와 이를 구동하는 그리드 및 에너지 인프라의 전력 병목 현상을 해결하려는 시장 수요가 가속화되고 있다"며 "올해 말까지 모바일 및 저가형 소비자 제품 매출 비중을 미미한 수준으로 낮추고 대부분의 매출을 고전력 시장에서 확보하는 나비타스 2.0 전환을 완료할 것"이라고 말했다.
기술 및 제품 개발 부문에서는 1.2kV에서 3.3kV SiC MOSFET을 위해 설계된 'Isolated TO' 제품군을 출시했으며, 2027년 초 출시를 목표로 1.2kV JFET 제품 라인을 도입해 SiC 포트폴리오를 확장했다. 이 JFET 라인은 AI 데이터 센터와 솔리드 스테이트 변압기, 에너지 그리드 인프라를 타깃으로 하며 약 10억 달러 규모의 신규 주소가능시장(SAM)을 창출할 것으로 기대된다. 또한, 나비타스는 엔비디아 MGX(NVIDIA MGX) 에코시스템과의 협력을 심화해 컴퓨텍스 2026에서 차세대 AI 데이터 센터를 위한 800V-to-6V DC-DC 전력 공급 보드를 선보였다.
나비타스는 2026년 3분기 순매출 전망치(가이던스)로 1350만 달러(±50만 달러)를 제시했다. 이는 중간값 기준으로 전분기 대비 28% 성장하는 수치이며, 전년 동기 대비로도 성장세로 돌아서는 수준이다. 3분기 Non-GAAP 매출총이익률은 39.7%(±100bp), Non-GAAP 영업비용은 1550만 달러에서 1750만 달러 사이가 될 것으로 전망했다. 토냐 스티븐스(Tonya Stevens) 나비타스 최고재무책임(CFO)은 "3분기에도 두 자릿수의 분기별 성장을 이어가며 전년 동기 대비 매출 성장을 달성하고, 연간 기준으로 한 자릿수 중간대의 매출 성장을 기록할 수 있는 발판을 마련할 것"이라고 덧붙였다.
나비타스 세미컨덕터는 질화갈륨(GaN) 전력 IC 및 고전압 탄화규소(SiC) 기술 분야의 반도체 기업으로, AI 데이터 센터, 에너지 및 그리드 인프라, 고성능 컴퓨팅, 산업용 전기화 분야에서 전력 반도체 솔루션을 제공하고 있다.
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