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에버스핀 테크놀로지(MRAM), 온쇼어 MRAM 제조 능력 확대

공시팀 기자

입력 2026-04-11 05:37

에버스핀 테크놀로지(MRAM, EVERSPIN TECHNOLOGIES INC. )는 온쇼어 MRAM 제조 능력을 확대했다.

10일 미국 증권거래위원회에 따르면 2026년 4월 8일, 에버스핀 테크놀로지(에버스핀)는 마이크로칩 테크놀로지와의 전략적 제조 계약을 발표하며 생산 능력을 확장하고 장기 공급망을 강화한다.

에버스핀은 마이크로칩과 초기 10년 계약을 체결했으며, 이 계약은 2년 단위로 연장 가능하다.

이 계약을 통해 에버스핀은 MRAM 및 터널 마그네토저항(TMR) 센서 제품의 온쇼어 제조 능력을 증대시킬 예정이다.

에버스핀은 애리조나주 챈들러에 있는 기존 생산 라인에서 현재 생산 중인 MRAM 및 TMR 센서 제품을 제조하기 위한 복사 정확도(Microchip의 공장) MRAM 라인을 구축할 계획이다.

에버스핀의 사장 겸 CEO인 산지브 아가르왈은 "에버스핀은 고객들이 장기 공급 안정성과 더 높은 밀도의 더 강력한 솔루션을 찾고 있는 가운데 MRAM 채택의 단계를 지원하기 위해 제조 기반을 확장하고 있다"고 말했다.

계약에 따라 에버스핀은 오리건주 마이크로칩의 제조 시설에서 업계 최고의 자기 기술 및 제조 프로세스를 구축할 예정이다.

에버스핀은 지적 재산권 및 제조 프로세스의 소유권을 유지하면서 마이크로칩의 파운드리 서비스 용량을 활용할 것이다.이 확장된 용량은 에버스핀의 강력한 재무 상태와 파트너십을 활용할 것이다.

마이크로칩의 파운드리 운영 수석 부사장인 마이클 핀리는 "마이크로칩은 에버스핀과 협력하여 오리건주 공장에서 대규모 및 확장 가능한 제조 용량을 제공하게 되어 기쁘다"고 말했다.이 계약은 에버스핀과 고객에게 여러 전략적 이점을 제공할 것이다.

증가된 웨이퍼 용량으로 성장 계획을 지원하고, MRAM 및 TMR 센서 제품에 대한 온쇼어 제2 공급원을 제공하며, 10년 이상 지속되는 공급의 연속성을 보장하고, 에버스핀이 세대 사용 사례 및 작업 부하를 위한 MRAM 기능을 발전시키는 연구 개발 프로그램을 지속할 수 있는 추가 기회를 제공한다.또한, 국제무기거래규정(ITAR) 웨이퍼 가공 능력을 포함한다.

에버스핀은 챈들러에 있는 NXP와 공동으로 에버스핀의 MRAM 및 TMR 센서 웨이퍼를 계속 제조할 것이다.

에버스핀은 마이크로칩에서의 프로세스 설치를 보장하기 위해 에버스핀의 챈들러 운영에서의 20년 MRAM 생산 경험을 기준으로 삼을 계획이다.

에버스핀은 에버스핀-마이크로칩 협력의 첫 제품이 2027년 하반기에 출하될 것으로 예상하고 있다.



※ 본 컨텐츠는 AI API를 이용하여 요약한 내용으로 수치나 문맥상 요약이 컨텐츠 원문과 다를 수 있습니다. 해당 컨텐츠는 투자 참고용이며 투자를 할때는 컨텐츠 원문을 필히 필독하시기 바랍니다. 원문URL(https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/1438423/000162828026024696/0001628280-26-024696-index.htm)

데이터투자 공시팀 pr@datatooza.com

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