Updated : 2025-06-06 (금)

나비타스세미컨덕터(NVTS), 차세대 800V HVDC 아키텍처 협력 발표

  • 입력 2025-05-27 21:04
  • 공시팀 기자
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나비타스세미컨덕터(NVTS, Navitas Semiconductor Corp )는 차세대 800V HVDC 아키텍처 협력을 발표했다.

27일 미국 증권거래위원회에 따르면 2025년 5월 21일, 나비타스세미컨덕터(나스닥: NVTS)는 NVIDIA(나스닥: NVDA)와 차세대 800V HVDC 아키텍처에 대한 협력을 발표했다.

이 아키텍처는 'Kyber' 랙 규모 시스템을 지원하며, GaNFast™ 및 GeneSiC™ 전력 기술을 통해 GPU를 구동한다.

NVIDIA의 800V DC 아키텍처는 차세대 AI 작업 부하를 위한 고효율, 확장 가능한 전력 공급을 목표로 하며, 신뢰성, 효율성 및 인프라 복잡성을 줄이는 데 기여한다.

현재의 데이터 센터 아키텍처는 전통적인 54V 랙 전력 분배를 사용하고 있으며, 몇 백 킬로와트(kW)로 제한된다.

200kW 이상의 전력이 필요할 경우, 이 아키텍처는 전력 밀도, 구리 요구량 및 시스템 효율성의 물리적 한계에 부딪힌다.

현대 AI 데이터 센터는 기가와트(GW) 단위의 전력을 요구하며, NVIDIA는 13.8kV AC 그리드 전력을 800V HVDC로 직접 변환하는 방식을 채택하고 있다.

이 방식은 여러 AC/DC 및 DC/DC 변환 단계를 제거하여 효율성과 신뢰성을 극대화한다.

800V HVDC는 IT 랙에 직접 전력을 공급하며, DC-DC 변환기를 통해 낮은 전압으로 변환되어 GPU를 구동한다.

나비타스는 GaN 및 SiC 기술을 활용한 AI 데이터 센터 솔루션의 선두주자로, GaNSafe™ 전력 IC는 제어, 구동, 감지 및 중요한 보호 기능을 통합하여 전례 없는 신뢰성과 견고성을 제공한다.

또한, 나비타스는 80-120V의 중전압 GaN 장치를 제공하며, 이는 AI 데이터 센터 PSU에 최적화되어 있다.

GeneSiC의 독점 기술은 고온에서의 성능을 제공하며, G3F SiC MOSFET는 높은 효율성과 고속 성능을 자랑한다.

나비타스는 650V에서 2.3kV에서 6.5kV에 이르는 광범위한 전압 범위를 제공하며, 여러 MW 에너지 저장 및 그리드 연결 인버터 프로젝트에 적용되었다.

2023년 8월, 나비타스는 3.2kW CRPS를 소개했으며, 이는 기존 실리콘 솔루션보다 40% 더 작은 크기를 자랑한다.

2024년 11월에는 세계 최초의 8.5kW AI 데이터 센터 전원 공급 장치를 출시했다.

나비타스의 CEO이자 공동 창립자인 진 셔리던은 "NVIDIA의 800 HVDC 아키텍처 이니셔티브에 협력하게 되어 자랑스럽다. 우리의 최신 혁신은 AI 데이터 센터 및 전기차와 같은 시장에 새로운 변화를 가져왔다"고 말했다.

NVIDIA의 800V HVDC 아키텍처는 전반적인 전력 효율성을 5% 향상시키고, PSU 고장으로 인한 유지보수 비용을 70% 줄이며, HVDC를 IT 및 컴퓨트 랙에 직접 연결하여 냉각 비용을 낮출 것이다.



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